ODAv-05A2. Лавинный фотоприёмник

Фотоприемник на основе Si лавинного фотодиода с диаметром активной области 500 мкм и малошумящего усилителя, в полосе от 1 до 500 МГц.
Параметр Условия* Мин. Типичное Макс. Ед. изм.
Тип фотодиода Si-ADP
Диаметр активной области 500 мкм
Спектральный диапазон 200 - 950 нм
Рабочий диапазон частот RL = 50 Ом, U = ± 9 В 1 – 500 МГц
Полоса пропускания по уровню -3 дБ RL = 50 Ом, U = ± 9 В 1 – 450 МГц
Время нарастания/спада импульсной характеристики по уровню 10/90% RL = 50 Ом, U = ± 9 В 250 / 540 пс
Номинальная чувствительность** l = 850 нм, RL = 50 Ом,
G = 0 дБ, f = 20 МГц, U = ± 9 В
30 кВ/Вт
Диапазон перестройки чувствительности (G), 100 позиций l = 850 нм, f = 20 МГц, U = ± 9 В от -22 до 13 дБ
Эквивалентная мощность шума (NEP) l = 850 нм, f = 10 МГц, G = 0 дБ, U = ± 9 В 0,5 пВт/√Гц
Напряжение шума (RMS) на выходе в
полосе 0 – 500 МГц
RL = 50 Ом, U = 9 В 470 мкВ
Максимальная рабочая средняя падающая оптическая мощность 5 мкВт
Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность 10 мкВт
Максимальный уровень выходного сигнала RL = 50 Ом, U = ± 9 В 1,3 В
Тип выхода AC
Выходное сопротивление 50 Ом
Напряжение питания AC/DC Adapter 9V-0,3Ax2 ± 9 В
Сторонний источник питания ± 8 ± 9 ± 15 В
Потребляемая мощность U = ± 9 В 3 Вт
Оптический вход Free-space
Выходной разъем (RF OUT) SMA
Разъем питания M8-pico
Рабочая температура 10 40 °С
Температура хранения и транспортировки -20 70 °С
Допустимый уровень относительной влажности При температуре менее 30°С 90 %
При температуре от 30 до 40°С 60 %
Габариты Д x Ш x В 63,0 x 64,5 x 47,5 мм
Масса Без блока питания 250 г

* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.

** В режиме малого сигнала, в позиции переключателя перестройки чувствительности (Gain) -10-ая позиция от максимальной.

Фотоприемник ODAv-05A2 реализован на основе кремниевого лавинного фотодиода с диаметром активной области 500 мкм и малошумящего усилителя. Он обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 200 до 950 нм, в полосе от 1 до 500 МГц.

Схема фотоприемника ODAv-02BФотоприемник состоит из трех основных частей - лавинного фотодиода, включенного на нагрузку R, регулируемого высоковольтного источника HV и выходного усилительного каскада.

Уровень лавинного усиления регулируется за счет изменения напряжения на высоковольтном источнике HV с помощью кнопок Gain (всего 100 позиций). Так же за счет изменения высокого напряжения осуществляется компенсация коэффициента усиления в зависимости от температуры (по заранее известному температурному коэффициенту, с помощью дополнительного терморезистора). Электрический сигнал с лавинного фотодиода через проходной конденсатор С поступает на радиочастотный малошумящий усилитель А, где дополнительно усиливается до необходимого уровня.

Питание фотоприемника осуществляется от внешнего биполярного источника питания через разъем POWER напряжением ±9 В. Для снижения влияния помех по цепям питания они развязываются с помощью синфазного EMI-фильтра и каскада линейных стабилизаторов.

Источники питания:

LPS-9 

- AC/DC Adaptor 9V-0,3Ax2

- Cable M8-pico

Оптические аксессуары:

- Fiber Adapters

- Colored Glass Filters

- TNut M25x1

- Opt Cable

РЧ аксессуары:

- RF Cable

-RF Tee Adapter

Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:

Также рекомендуем

Новости

TiF-100ST-F18-AU фемтосекундный титан-сапфировый осциллятор

Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт

Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]

Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)

Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]

Видео

© 1992–2024. Версия сайта: 3.02