Изучение свойств полупроводников
Продукты для этой области
| Длина волны | 1030 нм (1040, 1050 на заказ) |
| Средняя мощность | >40 Вт |
| Энергия в импульсе | >60 мкДж |
| Частота повторения | до 75 МГц |
| Длительность импульса | <200 фс |
| Длительность импульса | 50 фс...5 пс |
| Длина волны | 1560 нм / 780 нм |
| Выходная мощность | >200 мВт |
| Частота повторения | 30...100 МГц |
| Выход | волоконный или free-space |
| Длина волны | 1560±10 нм |
| Длительность импульса | от 50 фс до 5 пс |
| Средняя мощность | от 10 мВт до 5 Вт |
| Частота повторения | 25...80 МГц (фикс.) |
| Длина волны | 780 и 1560 нм |
| Средняя мощность | >200/440 мВт |
| Длительность импульса | <100 фс |
| Частота повторения | 100 МГц |
| Диапазон перестройки | 740-970 нм |
| Длительность импульса | <20-100 фс |
| Средняя мощность | до 1 Вт |
| Частота повторения | 90±10 МГц |
| Диапазон перестройки | 750-860 нм |
| Длительность импульса | 12...50 фс |
| Средняя мощность | 230...1300 мВт |
| Частота повторения | 80±10 МГц |
| Диапазон перестройки | 730-970 нм |
| Длительность импульса | <50 фс |
| Средняя мощность | до 1 Вт |
| Частота повторения | 80±10 МГц |
| Диапазон перестройки | 715-990 нм |
| Длительность импульса | <100 фс |
| Средняя мощность | до 1.8 Вт |
| Частота повторения | 80±10 МГц |
| Диапазон перестройки | 720-990 нм или 820-1040 нм |
| Длительность импульса | <120 фс |
| Средняя мощность | до 3 Вт |
| Частота повторения | 80 МГц |
| Длина волны | 1050 нм |
| Длительность импульса | 70...150 фс |
| Средняя мощность | 12 Вт |
| Частота повторения | 80 МГц |
| Длина волны | 525 и 1050 нм |
| Средняя мощность | >6 Вт/ >12 Вт |
| Длительность импульса | <100 фс |
| Частота повторения | 80 МГц |
| Длительность импульса | 35...140 фс |
| Диапазон перестройки | 1230-1270 нм |
| Выходная мощность | до 800 мВт |
| Энергия в импульсе | до 20 нДж |
| Частота повторения | 30/96 МГц |
| Напряжение ЛД | до 10 В |
| Диапазон тока ЛД | 0.1-10 A |
| Ток ТЭМ | до 10 А |
| Встроенный контроллер ТЭМ | есть |
| Диапазон перестройки | 230-4750 нм |
| Длительность импульса | от 130 фс |
| Средняя мощность | до 2 Вт |
| Частота повторения | 80 МГц |
| Длина волны | 800±20 нм (фикс.) |
| Энергия в импульсе | от 500 мкДж до 40 мДж |
| Частота повторения | до 10 кГц |
| Длительность импульса | от 30 до 120 фс |
| Длина волны | 1240 нм |
| Энергия в импульсе | от 50 мкДж до 30 мДж |
| Частота повторения | до 1 кГц |
| Длительность импульса | <120 фс |
| Длительность импульса | <35 фс |
| Длина волны (фикс.) | 800±15 нм |
| Пиковая мощность | до 15 ТВт |
| Частота повторения | 10 Гц |
| Энергия в импульсе | >550 мДж |
Новости
Новый флагман ТЕТА-50
Мы рады представить новую модель семейства ТЕТА — ТЕТА-50. Система способна выдавать энергию в импульсе на уровне 1 мДж на частоте следования до 50 кГц и длительности импульса не более 200 фс, что составляет около 5 ГВт пиковой импульсной мощности. Средняя оптическая мощность системы составляет 50 Вт в диапазоне частот 50-200 кГц. Возможны модификации с […]
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]