OD-3А. Фотоприёмник с фотодиодным включением
| Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Тип фотодиода | Si-PIN | ||||
| Размер активной области | 2,6 х 2,9 | мм | |||
| Спектральный диапазон | 430 - 1100 | нм | |||
| Полоса пропускания по уровню -3 дБ | l = 850 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В | 0,8 | 1 | МГц | |
| l = 850 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 8 | 12 | МГц | ||
| Время нарастания/спада переходной характеристики | l = 850 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В ** | 400 | 430 | нс | |
| l = 850 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В ** | 25 | 30 | нс | ||
| Чувствительность | l = 430 нм, U = 12 В ** | 0,06 | 0,07 | A/Вт | |
| l = 632 нм, U = 12 В | 0,33 | 0,40 | A/Вт | ||
| l = 950 нм, U = 12 В ** | 0,60 | 0,73 | A/Вт | ||
| Эквивалентная мощность шума (NEP)** | l = 950 нм, U = 12 В | 40 | фВт/√Гц | ||
| Темновой ток** | T = 25°С, U = 12 В | 2 | 30 | нА | |
| Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 5 | мВт | |||
| Тип выхода | DC | ||||
| Выходное сопротивление | 100 | кОм | |||
| Напряжение питания | Элемент питания A23 | 12 | В | ||
| Внешний источник питания (DC) | 11 | 12 | 20 | В | |
| Оптический вход | Free-space | ||||
| Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
| Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
| Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
| Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
| При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
| Габариты | Д x Ш x В | 68,3 x 48,5 x 23,0 | мм | ||
| Масса | Без элемента питания | 90 | г | ||
| Напряжение на выходном разъеме при разряженной батареи (кнопка Battery test нажата) | RL = 10 МОм | < 8,9 | В | ||
| RL = 50 Ом | < 45 | мВ | |||
* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.
Фотоприемник OD-3A реализован на основе кремниевого PIN-фотодиода с размером активной области 2,6 х 2,9 мм и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 430 до 1100 нм с полосой от 0 до 0,8 МГц (при нагрузке 1 кОм).
Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для проверки заряда батареи и целостности соединительного кабеля используется кнопка Battery test, замыкающая смещающее напряжение на выход RF OUT в обход фотодиода. Для блокирования помех цепей питания смещающее напряжение подается на фотодиод через стабилизатор напряжения STU и фильтрующую RC-цепочку.
В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.
Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой на корпусе). Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания 11 – 20 В с использованием специализированного переходника (Adapter A23).
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
| Спектральный диапазон | 900-1650 нм |
| Полоса пропускания | до 60 МГц |
| Время нарастания | от 5 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Рабочая длина волны | 250...2000 нм |
| Пропускание | более 90% |
| Динамический диапазон | >10^2 |
| Порог пробоя | до 10 Дж/см^2 |
| Апертура | до 15 мм |
| Частота входного сигнала | до 2.8 ГГц |
| Полоса регулирования ПИД | до 2 МГц |
| Мощность усилителя для работы с PZT | до 50 Вт |
| Частота модуляции | 14-6300 Гц |
| Точность установки частоты | 0.5...1 Гц |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]