OD-3А. Фотоприёмник с фотодиодным включением
Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
Тип фотодиода | Si-PIN | ||||
Размер активной области | 2,6 х 2,9 | мм | |||
Спектральный диапазон | 430 - 1100 | нм | |||
Полоса пропускания по уровню -3 дБ | l = 850 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В | 0,8 | 1 | МГц | |
l = 850 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 8 | 12 | МГц | ||
Время нарастания/спада переходной характеристики | l = 850 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В ** | 400 | 430 | нс | |
l = 850 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В ** | 25 | 30 | нс | ||
Чувствительность | l = 430 нм, U = 12 В ** | 0,06 | 0,07 | A/Вт | |
l = 632 нм, U = 12 В | 0,33 | 0,40 | A/Вт | ||
l = 950 нм, U = 12 В ** | 0,60 | 0,73 | A/Вт | ||
Эквивалентная мощность шума (NEP)** | l = 950 нм, U = 12 В | 40 | фВт/√Гц | ||
Темновой ток** | T = 25°С, U = 12 В | 2 | 30 | нА | |
Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 5 | мВт | |||
Тип выхода | DC | ||||
Выходное сопротивление | 100 | кОм | |||
Напряжение питания | Элемент питания A23 | 12 | В | ||
Внешний источник питания (DC) | 11 | 12 | 20 | В | |
Оптический вход | Free-space | ||||
Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
Габариты | Д x Ш x В | 68,3 x 48,5 x 23,0 | мм | ||
Масса | Без элемента питания | 90 | г | ||
Напряжение на выходном разъеме при разряженной батареи (кнопка Battery test нажата) | RL = 10 МОм | < 8,9 | В | ||
RL = 50 Ом | < 45 | мВ |
* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.
Фотоприемник OD-3A реализован на основе кремниевого PIN-фотодиода с размером активной области 2,6 х 2,9 мм и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 430 до 1100 нм с полосой от 0 до 0,8 МГц (при нагрузке 1 кОм).
Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для проверки заряда батареи и целостности соединительного кабеля используется кнопка Battery test, замыкающая смещающее напряжение на выход RF OUT в обход фотодиода. Для блокирования помех цепей питания смещающее напряжение подается на фотодиод через стабилизатор напряжения STU и фильтрующую RC-цепочку.
В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.
Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой на корпусе). Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания 11 – 20 В с использованием специализированного переходника (Adapter A23).
Также рекомендуем
Новости
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]
Выставка LASER World of Photonics 2019, Мюнхен, 24-27 июня, стенд B3/338
Авеста принимает участие в выставке LASER World of Photonics 2019, проходящей с 24 по 27 июня в Мюнхене. Приглашаем посетить наш стенд B3/338 (часть коллективного стенда РФ).