Лазерные источники
Диапазон возможных длин волн | 320 нм - 10 мкм |
Суммарная эффективность преобразования | более 10% |
Входная энергия импульса накачки |
до 3 мДж |
Длительность импульса | <70 фс |
Диапазон перестройки | 720-960 нм |
Длительность импульса | 15...100 фс |
Выходная мощность | до 2 Вт на 800 нм |
Частота повторения | 70...90 МГц |
Длина волны | 1030...1053 нм |
Длительность импульса | <200 фс...300 пс |
Средняя мощность | 50 мВт...20 Вт |
Частота повторения | 70±10 МГц |
Длина волны | 1030 нм (1040, 1050 на заказ) |
Средняя мощность | >40 Вт |
Энергия в импульсе | >60 мкДж |
Частота повторения | до 75 МГц |
Длительность импульса | <200 фс |
Длительность импульса | 50 фс...5 пс |
Длина волны | 1560 нм / 780 нм |
Выходная мощность | >200 мВт |
Частота повторения | 30...100 МГц |
Выход | волоконный или free-space |
Длина волны | 1560±10 нм |
Длительность импульса | от 50 фс до 5 пс |
Средняя мощность | от 10 мВт до 5 Вт |
Частота повторения | 25...80 МГц (фикс.) |
Длина волны | 780 и 1560 нм |
Средняя мощность | >200/440 мВт |
Длительность импульса | <100 фс |
Частота повторения | 65 МГц |
Ширина перекрываемого спектра | 1100-2000 нм |
Средняя выходная мощность | >150 мВатт |
Частота повторения | 50...70 МГц |
Длина волны | 780/1560/1100-2000 нм |
Средняя мощность | 50/150/130 мВт |
Частота повторения | 70 МГц |
Спектральный диапазон | 520-2200 нм |
Частотный интервал (Frep) | 125 МГц |
Диапазон перестройки частоты отстройки (Fceo) | >125 МГц |
Стабильность привязки | 5*10^-13 на 1 сек |
Диапазон перестройки | 740-970 нм |
Длительность импульса | <20-100 фс |
Средняя мощность | до 1 Вт |
Частота повторения | 90±10 МГц |
Диапазон перестройки | 750-860 нм |
Длительность импульса | 12...50 фс |
Средняя мощность | 230...1300 мВт |
Частота повторения | 80±10 МГц |
Диапазон перестройки | 730-970 нм |
Длительность импульса | <50 фс |
Средняя мощность | до 1 Вт |
Частота повторения | 80±10 МГц |
Диапазон перестройки | 715-990 нм |
Длительность импульса | <100 фс |
Средняя мощность | до 1.8 Вт |
Частота повторения | 80±10 МГц |
Диапазон перестройки | 720-990 нм или 820-1040 нм |
Длительность импульса | <120 фс |
Средняя мощность | до 3 Вт |
Частота повторения | 80 МГц |
Длина волны | 1050 нм |
Длительность импульса | 70...150 фс |
Средняя мощность | 12 Вт |
Частота повторения | 80 МГц |
Длина волны | 525 и 1050 нм |
Средняя мощность | >6 Вт/ >12 Вт |
Длительность импульса | <100 фс |
Частота повторения | 80 МГц |
Длительность импульса | 35...140 фс |
Диапазон перестройки | 1230-1270 нм |
Выходная мощность | до 800 мВт |
Энергия в импульсе | до 20 нДж |
Частота повторения | 30/96 МГц |
Длина волны | 1050 / 525 / 700-1000 нм |
Средняя мощность | 1000 мВт / 500 мВт / 1500 мВт |
Длительность импульса | 200 / 200 / 100 фс |
Частота повторения | 80 МГц |
Джиттер между каналами | <1 фс |
Диапазон перестройки | 1240-1270 нм |
Длительность импульса | 65...100 фс |
Выходная мощность | до 450 мВт на 1250 нм |
Частота повторения | 20...100 МГц |
Диапазон перестройки | 710-1000 нм |
Ширина линии | 2...45 ГГц |
Средняя мощность | ...до 1.8 Вт на 800 нм |
Диапазон перестройки | 690-1060 нм |
Ширина линии | 2...45 ГГц |
Средняя мощность | до 1.8 Вт на 800 нм |
Диапазон перестройки | 700-1000 нм |
Ширина линии | 2...45 ГГц |
Средняя мощность | >2 Вт на 800 нм |
Диапазон перестройки | 1010-1070 нм |
Средняя мощность | до 7.5 Вт |
Выходная мода | TEMoo |
Диапазон перестройки | 1210-1290 нм |
Выходная мощность | до 900 мВт на 1250 нм |
Поперечная мода | TEMoo |
Длина волны | 440...480 нм |
Средняя мощность | до 4 Вт |
Ширина спектра | <3 нм |
Напряжение ЛД | до 10 В |
Диапазон тока ЛД | 0.1-10 A |
Ток ТЭМ | до 10 А |
Встроенный контроллер ТЭМ | есть |
Диапазон перестройки | 230-4750 нм |
Длительность импульса | от 130 фс |
Средняя мощность | до 2 Вт |
Частота повторения | 80 МГц |
Длина волны | 800±20 нм (фикс.) |
Энергия в импульсе | от 500 мкДж до 40 мДж |
Частота повторения | до 10 кГц |
Длительность импульса | от 30 до 120 фс |
Средняя мощность | до 20 Вт |
Длина волны | 1030 нм |
Энергия в импульсе | >2 мДж |
Частота повторения | до 1 МГц |
Длительность импульса | <270 фс |
Длина волны | 1240 нм |
Энергия в импульсе | от 50 мкДж до 30 мДж |
Частота повторения | до 1 кГц |
Длительность импульса | <120 фс |
Длительность импульса | <35 фс |
Длина волны (фикс.) | 800±15 нм |
Пиковая мощность | до 15 ТВт |
Частота повторения | 10 Гц |
Энергия в импульсе | >550 мДж |
Длительность импульса | <85 фс |
Длина волны (фикс.) | 1240 нм |
Пиковая мощность | до 2 ТВт |
Частота повторения | 10 Гц |
Рабочие длины волн | 800 и 1030 нм |
Энергетическая эффективность | до 40% |
Коэффициент компрессии |
до 15 |
Длительность импульса (при 35 фс, 800 нм на входе) | <7 фс |
Рабочие входные длины волн | 800, 1030 и 1240 нм |
Максимальная энергия на входе | до 100 мДж |
Эффективность преобразования | до 30% |
Возможные выходные длины волн для разных источников |
870, 1050, 1180, 1200, 1430, 1890, 1530, 1970, 2600 нм |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]