OD-03B2. Фотоприёмник с фотодиодным включением

Фотоприемник на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 300 мкм, диапазон от 900 до 2600 нм.
Параметр Условия* Мин. Типичное Макс. Ед. изм.
Тип фотодиода InGaAs-PIN
Диаметр активной области 0,3 мм
Спектральный диапазон 900 - 2600 нм
Длина волны максимальной чувствительности 2300 нм
Полоса пропускания по уровню -3 дБ l = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В 60 65 70 МГц
Время нарастания/спада переходной характеристики l = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В 6 нс
Чувствительность l = 2300 нм, U = 12 В** 1 1,3 A/Вт
Эквивалентная мощность шума (NEP)** l = 2300 нм, U = 12 В** 0,4 0,9 пВт/√Гц
Темновой ток** T = 25°С, U = 12 В 0,4 4 мкА
Температурный коэффициент темнового тока** U = 12 В 1,035 раз/°С
Максимальный уровень выходного сигнала 0,5 В
Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность 10 мВт
Тип выхода DC
Выходное сопротивление 100 кОм

* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.

Прочие характеристики

Параметр Условия Мин. Типичное Макс. Ед. изм.
Напряжение питания Элемент питания A23 12 В
Внешний источник питания (DC) 7 12 20 В
Оптический вход Free-space
Выходной разъем (RF OUT) SMA
Рабочая температура 10 40 °С
Температура хранения и транспортировки -20 70 °С
Допустимый уровень относительной влажности При температуре менее 30°С 90 %
При температуре от 30 до 40°С 60 %
Габариты Д x Ш x В 68,3 x 48,5 x 23,0 мм
Масса Без элемента питания 90 г
Напряжение на выходном разъеме при разряженной батареи (кнопка Battery test нажата) RL = 1 МОм < 0,47 В
RL = 50 Ом < 2,5 мВ

Фотоприемник OD-03B2 реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 0,3 мм и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 2600 нм с полосой от 0 до 65 МГц (при нагрузке 50 Ом).

схема фотоприемника

Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для проверки заряда батареи и целостности соединительного кабеля используется кнопка Battery test замыкающая смещающее напряжение на выход RF OUT в обход фотодиода. Для блокирования помех цепей питания, смещающее напряжение подается на фотодиод через стабилизатор напряжения STU и фильтрующую RC-цепочку.

В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.

Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой на корпусе). Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания 7 – 20 В с использованием специализированного переходника (Adapter A23).

Применения:

- детектирование постоянных и импульсных оптических сигналов
- детектирование ультракоротких лазерных импульсов
- оптическая спектроскопия
- лабораторные стенды
- контрольно-измерительное оборудование
- научные исследования

Также рекомендуем

Новости

TiF-100ST-F18-AU фемтосекундный титан-сапфировый осциллятор

Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт

Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]

Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)

Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]

Видео

© 1992–2020. Версия сайта: 3.02