OD-08А. Фотоприёмник с фотодиодным включением

Фотоприемник на основе кремниевого PIN-фотодиода с диаметром активной области 800 мкм
Параметр Условия* Мин. Типичное Макс. Ед. изм.
Тип фотодиода Si-PIN
Диаметр активной области 800 мкм
Спектральный диапазон 320 - 1000 нм
Полоса пропускания по уровню -3 дБ l = 760 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В 500 600 700 МГц
Время нарастания/спада переходной характеристики l = 760 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В 430 500 600 пс
Чувствительность** l = 660 нм, U = 12 В 0,44 A/Вт
l = 780 нм, U = 12 В 0,55 A/Вт
l = 800 нм, U = 12 В 0,57 A/Вт
Эквивалентная мощность шума (NEP)** l = 800 нм, U = 12 В 3,1 фВт/√Гц
Темновой ток** T = 25°С, U = 12 В 0,01 0,5 нА
Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность 5 мВт
Тип выхода DC
Выходное сопротивление 100 кОм
Напряжение питания Элемент питания A23 12 В
Внешний источник питания (DC) 11 12 20 В
Оптический вход Free-space
Выходной разъем (RF OUT) SMA
Рабочая температура 10 40 °С
Температура хранения и транспортировки -20 70 °С
Допустимый уровень относительной влажности При температуре менее 30°С 90 %
При температуре от 30 до 40°С 60 %
Габариты Д x Ш x В 68,3 x 48,5 x 23,0 мм
Масса Без элемента питания 90 г
Напряжение на выходном разъеме при разряженной батареи (кнопка Battery test нажата) RL = 10 МОм < 8,9 В
RL = 50 Ом < 45 мВ

* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.

** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.

Фотоприемник OD-08A реализован на основе кремниевого PIN-фотодиода с диаметром активной области 800 мкм и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 320 до 1000 нм с полосой от 0 до 700 МГц (при нагрузке 50 Ом).

Схема OD-08AФотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для проверки заряда батареи и целостности соединительного кабеля используется кнопка Battery test, замыкающая смещающее напряжение на выход RF OUT в обход фотодиода. Для блокирования помех цепей питания смещающее напряжение подается на фотодиод через стабилизатор напряжения STU и фильтрующую RC-цепочку.

В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.

Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой на корпусе). Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания 11 – 20 В с использованием специализированного переходника (Adapter A23).

Также рекомендуем

Новости

Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)

Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]

Выставка LASER World of Photonics 2019, Мюнхен, 24-27 июня, стенд B3/338

Авеста принимает участие в выставке LASER World of Photonics 2019, проходящей с 24 по 27 июня в Мюнхене. Приглашаем посетить наш стенд B3/338 (часть коллективного стенда РФ).

Видео

© 1992–2019. Версия сайта: 3.02