OD-1B2. Фотоприёмник с фотодиодным включением

Фотоприемник на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 1 мм, диапазон от 900 до 2600 нм.
Параметр Условия* Мин. Типичное Макс. Ед. изм.
Тип фотодиода InGaAs-PIN
Диаметр активной области 1 мм
Спектральный диапазон 900 - 2600 нм
Длина волны максимальной чувствительности 2300 нм
Полоса пропускания по уровню -3 дБ l = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В 9 11 12 МГц
l = 1550 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В 200 350 500 кГц
Время нарастания/спада переходной характеристики l = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В 30 32 35 нс
l = 1550 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В 795 850 925 нс
Чувствительность l = 2300 нм, U = 12 В** 1 1,3 A/Вт
Эквивалентная мощность шума (NEP)** l = 2300 нм, U = 12 В** 1 3 пВт/√Гц
Темновой ток** T = 25°С, U = 12 В 3 30 мкА
Температурный коэффициент темнового тока** U = 12 В 1,035 раз/°С
Максимальный уровень выходного сигнала 0,5 В
Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность 10 мВт
Тип выхода DC
Выходное сопротивление 100 кОм

* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.

Фотоприемник OD-1B2 реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 1 мм и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 2600 нм с полосой от 0 до 11 МГц (при нагрузке 50 Ом).

схема фотоприемникаФотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для проверки заряда батареи и целостности соединительного кабеля используется кнопка Battery test замыкающая смещающее напряжение на выход RF OUT в обход фотодиода. Для блокирования помех цепей питания, смещающее напряжение подается на фотодиод через стабилизатор напряжения STU и фильтрующую RC-цепочку.

В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.

Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой на корпусе). Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания 7 – 20 В с использованием специализированного переходника (Adapter A23).

Также рекомендуем

Новости

TiF-100ST-F18-AU фемтосекундный титан-сапфировый осциллятор

Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт

Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]

Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)

Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]

Видео

© 1992–2020. Версия сайта: 3.02