OD-1B2. Фотоприёмник с фотодиодным включением
| Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Тип фотодиода | InGaAs-PIN | ||||
| Диаметр активной области | 1 | мм | |||
| Спектральный диапазон | 900 - 2600 | нм | |||
| Длина волны максимальной чувствительности | 2300 | нм | |||
| Полоса пропускания по уровню -3 дБ | λ = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 9 | 11 | 12 | МГц |
| λ = 1550 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В | 200 | 350 | 500 | кГц | |
| Время нарастания/спада переходной характеристики | λ = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 30 | 32 | 35 | нс |
| λ = 1550 нм, RL = 1 кОм, U = 12 В | 795 | 850 | 925 | нс | |
| Чувствительность | λ = 2300 нм, U = 12 В** | 1 | 1,3 | A/Вт | |
| Эквивалентная мощность шума (NEP)** | λ = 2300 нм, U = 12 В** | 1 | 3 | пВт/√Гц | |
| Темновой ток** | T = 25°С, U = 12 В | 3 | 30 | мкА | |
| Температурный коэффициент темнового тока** | U = 12 В | 1,035 | раз/°С | ||
| Максимальный уровень выходного сигнала | 0,5 | В | |||
| Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 10 | мВт | |||
| Тип выхода | DC | ||||
| Выходное сопротивление | 100 | кОм |
* RL – сопротивление нагрузки, λ – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.
Прочие характеристики
| Параметр | Условия | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Напряжение питания | Элемент питания A23 | 12 | В | ||
| Внешний источник питания (DC) | 7 | 12 | 20 | В | |
| Оптический вход | Free-space | ||||
| Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
| Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
| Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
| Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
| При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
| Габариты | Д x Ш x В | 68,3 x 48,5 x 23,0 | мм | ||
| Масса | Без элемента питания | 90 | г | ||
| Напряжение на выходном разъеме при разряженной батареи (кнопка Battery test нажата) | RL = 1 МОм | < 0,47 | В | ||
| RL = 50 Ом | < 2,5 | мВ | |||
Фотоприемник OD-1B2 реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 1 мм и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 2600 нм с полосой от 0 до 11 МГц (при нагрузке 50 Ом).
Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для проверки заряда батареи и целостности соединительного кабеля используется кнопка Battery test замыкающая смещающее напряжение на выход RF OUT в обход фотодиода. Для блокирования помех цепей питания, смещающее напряжение подается на фотодиод через стабилизатор напряжения STU и фильтрующую RC-цепочку.
В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.
Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой на корпусе). Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания 7 – 20 В с использованием специализированного переходника (Adapter A23).
Применения:
- детектирование постоянных и импульсных оптических сигналов
- детектирование ультракоротких лазерных импульсов
- оптическая спектроскопия
- лабораторные стенды
- контрольно-измерительное оборудование
- научные исследования
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
| Спектральный диапазон | 430-1100 нм |
| Полоса пропускания | до 12 МГц |
| Время нарастания | от 25 нс |
| Размер активной области | 2,6 х 2,9 мм (7,5 мм2) |
| Спектральный диапазон | 320-1000 нм |
| Полоса пропускания | до 700 МГц |
| Время нарастания | от 430 пс |
| Диаметр активной области | 800 мкм |
| Спектральный диапазон | 900-1650 нм |
| Полоса пропускания | до 60 МГц |
| Время нарастания | от 5 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Частота входного сигнала | до 2.8 ГГц |
| Полоса регулирования ПИД | до 2 МГц |
| Мощность усилителя для работы с PZT | до 50 Вт |
| Спектральный диапазон | 400-1000 нм |
| Полоса пропускания | до 1.5 МГц |
| Время нарастания | от 150 нс |
| Диаметр активной области | 10 мм |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]