ODA-1B SG. Фотоприёмник с переключаемым усилением
| Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Тип фотодиода | InGaAs-PIN | ||||
| Размер активной области | 1 | мм | |||
| Спектральный диапазон | 900-1650 | нм | |||
| Длина волны максимальной чувствительности | 940 | нм | |||
| Чувствительность фотодиода | l = 1300 нм, U = ± 12 В ** | 0,85 | A/Вт | ||
| l = 1550 нм, U = ± 12 В | 0,90 | A/Вт | |||
| Темновой ток фотодиода** | T = 25°С, U = ± 12 В | 5 | нА | ||
| Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 10 | мВт | |||
| Максимальный уровень выходного сигнала | RL = 50 Ом, U = ± 12 В | 4,5 | В | ||
| RL = 10 Мом, U = ± 12 В | 9,4 | В | |||
| Максимальная скорость нарастания выходного напряжения | U = ± 12 В | 80 | В/мкс | ||
| Тип выхода | DC | ||||
| Выходное сопротивление | 50 | Ом | |||
| Напряжение питания | AC/DC Adapter 12V-0,25Ax2 | ± 12 | В | ||
| Сторонний источник питания | ± 11 | ± 12 | ± 13 | В | |
| Потребляемая мощность | U = ± 12 В | 1,5 | Вт | ||
| Оптический вход | Free-space | ||||
| Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
| Разъем питания | M8-pico | ||||
| Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
| Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
| Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
| При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
| Габариты | Д x Ш x В | 68,9 x 55,0 x 23,0 | мм | ||
| Масса | Без блока питания | 80 | г | ||
* R – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода
Характеристики усилителя (RL = 50 Ом, U = ± 12 В)
| Параметр | Коэффициент усиления (положение переключателя) | Ед. изм. | |||||||
| 0 дБ | 10 дБ | 20 дБ | 30 дБ | 40 дБ | 50 дБ | 60 дБ | 70 дБ | ||
| Усиление (G50) | 0,7 | 2,3 | 7 | 23 | 70 | 230 | 690 | 2310 | кВ/А |
| Полоса пропускания уровню - 3 дБ * | 9500 | 4300 | 2000 | 750 | 200 | 54 | 20 | 9,5 | кГц |
| Шум (RMS)** | 28 | 41 | 90 | 104 | 110 | 111 | 133 | 152 | мкВ |
* Может ограничиваться скоростью нарастания выходного напряжения.
** На выходе фотоприёмника в полосе 20 МГц.
Фотоприемник ODA-1B SG реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 1 мм и усилителя с переменным коэффициентом усиления. Он обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 1650 нм с возможностью изменения усиления от 0 до 70 дБ (8 значений).
Фотоприемник состоит из двух каскадов - входного трансимпедансного усилителя A1 и выходного инвертирующего буферного каскада A2. Фотодиод подключается к инвертирующему входу усилителя A1 в фотодиодном режиме. Переключение коэффициента усиления производится с помощью изменения сопротивления обратной связи R. Для такой схемы коэффициент передачи фотоприемника при нагрузке 50 Ом, можно найти по формуле
K(λ)= γ(λ)∙G50(R) [В/Вт],
где γ(λ) - спектральная чувствительность фотодиода,
G50(R) - коэффициент усиления усилителя на нагрузке 50 Ом (зависит от положения переключателя усиления),
λ - длина волны падающего излучения.
Питание фотоприемника осуществляется от внешнего биполярного источника питания через разъем POWER напряжением ±12 В. Для снижения влияния помех по цепям питания они развязываются с помощью синфазного EMI-фильтра.
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
| Спектральный диапазон | 900-1650 нм |
| Полоса пропускания | до 60 МГц |
| Время нарастания | от 5 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Рабочая длина волны | 250...2000 нм |
| Пропускание | более 90% |
| Динамический диапазон | >10^2 |
| Порог пробоя | до 10 Дж/см^2 |
| Апертура | до 15 мм |
| Частота входного сигнала | до 2.8 ГГц |
| Полоса регулирования ПИД | до 2 МГц |
| Мощность усилителя для работы с PZT | до 50 Вт |
| Спектральный диапазон | 430-1100 нм |
| Полоса пропускания | до 12 МГц |
| Время нарастания | от 25 нс |
| Размер активной области | 2,6 х 2,9 мм (7,5 мм2) |
| Спектральный диапазон | 900-1700 нм |
| Полоса пропускания | до 2500 МГц |
| Время нарастания | от 120 пс |
| Диаметр активной области | ОВ 9/125 мкм |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]