OD-007BF. Фотоприёмник с фотодиодным включением
Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
Тип фотодиода | InGaAs-PIN | ||||
Диаметр активной области | Одномодовое ОВ
(сердцевина/оболочка) |
9/125 | мкм | ||
Спектральный диапазон | 900 - 1700 | нм | |||
Полоса пропускания по уровню -3 дБ | λ = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 2300 | 2400 | 2500 | МГц |
Время нарастания/спада переходной характеристики | λ = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 120 | 125 | 130 | пс |
Чувствительность | λ = 1300 нм, U = 12 В ** | 0,90 | A/Вт | ||
λ = 1550 нм, U = 12 В ** | 0,95 | A/Вт | |||
Темновой ток** | T = 25°С, U = 12 В | 0,2 | 0,5 | нА | |
Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 5 | мВт | |||
Тип выхода | DC | ||||
Выходное сопротивление | 100 | кОм | |||
Напряжение питания | Элемент питания A23 | 12 | В | ||
Оптический вход | Волоконный вход | FC/APC (FC/PC опция) |
|||
Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
Габариты | Д x Ш x В | 37 x 28 x 50 | мм | ||
Масса | Без элемента питания | 50 | г |
* RL – сопротивление нагрузки, λ – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.
Фотоприемник OD-007BF реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 75 мкм, терминированного одномодовым оптическим волокном (9/125 мкм) с FC/APC-коннектором, обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 1700 нм с полосой от 0 до 2500 МГц (при нагрузке 50 Ом).
Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для блокирования помех цепей питания смещающее напряжение подается на фотодиод через фильтрующую RC-цепочку.
В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.
Конструкция фотоприемника выполнена таким образом, что позволяет с помощью ВЧ-переходника SMA/BNC или SMA/N-type (RFAdapter-SMA/BNC или RFAdapter-SMA/N) подключать его непосредственно на вход измерительного устройства (осциллограф, анализатор спектра и т.п.).
Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой внутри батарейного отсека).
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]