OD-007BFC. Фотоприёмник с фотодиодным включением
| Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Тип фотодиода | InGaAs-PIN | ||||
| Диаметр активной области | 75 | мкм | |||
| Спектральный диапазон | 900 - 1700 | нм | |||
| Полоса пропускания по уровню -3 дБ | λ = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 3100 | МГц | ||
| Время нарастания/спада переходной характеристики | λ = 1550 нм, RL = 50 Ом, U = 12 В | 45 / 148 | пс | ||
| Чувствительность | λ = 1300 нм, U = 12 В ** | 0.90 | A/Вт | ||
| λ = 1550 нм, U = 12 В ** | 0.95 | A/Вт | |||
| Темновой ток** | T = 25°С, U = 12 В | 0.2 | 0,5 | нА | |
| Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 5 | мВт | |||
| Тип выхода | DC | ||||
| Выходное сопротивление | 100 | кОм | |||
| Напряжение питания | Элемент питания A23 | 12 | В | ||
| Оптический вход | Волоконно-оптическая розетка | FC/PC | |||
| Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
| Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
| Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
| Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
| При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
| Габариты | Д x Ш x В | 51.8 x 16 x 42.5 | мм | ||
| Масса | Без элемента питания | 50 | г | ||
* RL – сопротивление нагрузки, λ – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.
Фотоприемник OD-007BF реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 75 мкм, терминированного одномодовым оптическим волокном в оболочке 0,9 мм, с FC/PC-коннектором, и обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 1700 нм с полосой от 0 до 2500 МГц (при нагрузке 50 Ом).
Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для блокирования помех цепей питания смещающее напряжение подается на фотодиод через фильтрующую RC-цепочку.
В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.
Конструкция фотоприемника выполнена таким образом, что позволяет с помощью ВЧ-переходника SMA/BNC или SMA/N-type (RFAdapter-SMA/BNC или RFAdapter-SMA/N) подключать его непосредственно на вход измерительного устройства (осциллограф, анализатор спектра и т.п.).
Питание фотоприемника осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23 (устанавливается в соответствии с маркировкой внутри батарейного отсека).
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
| Спектральный диапазон | 900-1650 нм |
| Полоса пропускания | до 60 МГц |
| Время нарастания | от 5 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Рабочая длина волны | 250...2000 нм |
| Пропускание | более 90% |
| Динамический диапазон | >10^2 |
| Порог пробоя | до 10 Дж/см^2 |
| Апертура | до 15 мм |
| Частота входного сигнала | до 2.8 ГГц |
| Полоса регулирования ПИД | до 2 МГц |
| Мощность усилителя для работы с PZT | до 50 Вт |
| Спектральный диапазон | 430-1100 нм |
| Полоса пропускания | до 12 МГц |
| Время нарастания | от 25 нс |
| Размер активной области | 2,6 х 2,9 мм (7,5 мм2) |
| Частота модуляции | 6-6300 Гц |
| Точность установки частоты | 1 Гц |
| Спектральный диапазон | 900-1700 нм |
| Полоса пропускания | до 2500 МГц |
| Время нарастания | от 120 пс |
| Диаметр активной области | ОВ 9/125 мкм |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]