ODA-007BFC. Фотоприёмник с усилителем
| Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Тип фотодиода | InGaAs-PIN | ||||
| Диаметр активной области | 75 | мкм | |||
| Спектральный диапазон | 900 - 1700 | нм | |||
| Длина волны максимальной чувствительности | 1540 | нм | |||
| Рабочая полоса пропускания | RL = 50 Ом, U = ±9 В | 300 | МГц | ||
| Полоса пропускания по уровню -3 дБ | RL = 50 Ом, U = ±9 В | 200 | МГц | ||
| Чувствительность фотодиода | λ = 1300 нм, U = ±9 В | 0.9 | A/Вт | ||
| λ = 1550 нм, U = ±9 В | 0.95 | A/Вт | |||
| Темновой ток** | T = 25°С, U = ±9 В | 0.2 | 0.5 | нА | |
| Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 5 | мВт | |||
| Усиление встроенного усилителя (G50) | RL = 50 Ом, U = ±9 В | 35 | кВ/А | ||
| Эквивалентная мощность шума (NEP)** | RL = 50 Ом, U = ±9 В, F = 10 МГц | 1.7 | пВт/√Гц | ||
| RL = 50 Ом, U = ±9 В, F = 200 МГц | 5.6 | ||||
| RL = 50 Ом, U = ±9 В, F = 300 МГц | 7.4 | ||||
| Максимальный уровень выходного сигнала | RL = 50 Ом, U = ±9 В | 1.5 | В | ||
| Тип выхода | DC | ||||
| Выходное сопротивление | 50 | Ом |
* RL – сопротивление нагрузки, λ – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** Рассчитано по тех. параметрам фотодиода.
Прочие характеристики
| Параметр | Условия | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Напряжение питания | AC/DC адаптер 9В-0.3Ах2 | ±9 | В | ||
| Сторонний источник питания (DC) | ±7 | ±9 | ±15 | ||
| Потребляемая мощность | U = ±9 В | 0.65 | Вт | ||
| Оптический вход | Волоконно-оптическая розетка | FC/PC | |||
| Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
| Разъем питания | M8-pico | ||||
| Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
| Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
| Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
| При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
| Габариты | Д x Ш x В | 67.5 x 42.0 x 16.0 | мм | ||
| Масса | Без блока питания | 60 | г | ||
Фотоприемник ODA-007BFC реализован на основе InGaAs PIN-фотодиода с диаметром активной области 75 мкм, установленного в волоконно-оптической FC/PC розетке, и малошумящего усилителя. Он обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 1700 нм, в полосе до 200 МГц.
Фотоприемник состоит из двух каскадов - входного трансимпедансного усилителя A1 и выходного инвертирующего буферного каскада A2. Фотодиод подключается к инвертирующему входу усилителя A1 в фотодиодном режиме.
Для такой схемы коэффициент передачи фотоприемника при нагрузке 50 Ом, можно найти по формуле:
K(λ) = γ(λ) • G50 [В/Вт]
где γ - спектральная чувствительность фотодиода, G50 - коэффициент усиления усилителя на нагрузке 50 Ом, λ - длина волны падающего излучения.
Питание фотоприемника осуществляется от внешнего биполярного источника питания через разъем POWER напряжением ±9 В. Для снижения влияния помех по цепям питания они развязываются с помощью синфазного EMI-фильтра и каскада линейных стабилизаторов. В комплекте с фотоприемником поставляется источник питания AC/DC Adapter 9V-0,3Ax2, так же возможно отдельно заказать шнур питания с разъемом M8-pico (CableM8pico-P-4) или разъем M8-pico для монтажа на кабель (ConnectorM8pico-P-4).
Применения:
- детектирование постоянных и импульсных оптических сигналов
- детектирование ультракоротких лазерных импульсов
- оптическая спектроскопия
- лабораторные стенды
- контрольно-измерительное оборудование
- научные исследования
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
| Спектральный диапазон | 430-1100 нм |
| Полоса пропускания | до 12 МГц |
| Время нарастания | от 25 нс |
| Размер активной области | 2,6 х 2,9 мм (7,5 мм2) |
| Спектральный диапазон | 320-1000 нм |
| Полоса пропускания | до 700 МГц |
| Время нарастания | от 430 пс |
| Диаметр активной области | 800 мкм |
| Спектральный диапазон | 900-1650 нм |
| Полоса пропускания | до 60 МГц |
| Время нарастания | от 5 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Спектральный диапазон | 900-2600 нм |
| Полоса пропускания | до 12 МГц |
| Время нарастания | от 30 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Спектральный диапазон | 400-1000 нм |
| Полоса пропускания | до 1.5 МГц |
| Время нарастания | от 150 нс |
| Диаметр активной области | 10 мм |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]