ODAv-02B. Лавинный фотоприёмник
| Параметр | Условия* | Мин. | Типичное | Макс. | Ед. изм. |
| Тип фотодиода | InGaAs-ADP | ||||
| Диаметр активной области | 200 | мкм | |||
| Спектральный диапазон | 900 - 1700 | нм | |||
| Рабочий диапазон частот | RL = 50 Ом, U = ± 9 В | 1 – 250 | МГц | ||
| Полоса пропускания по уровню -3 дБ | RL = 50 Ом, U = ± 9 В | 1 – 160 | МГц | ||
| Время нарастания/спада импульсной характеристики по уровню 10/90% | RL = 50 Ом, U = ± 9 В | 3 | нс | ||
| Номинальная чувствительность** | l = 1550 нм, RL = 50 Ом, G = 0 дБ, f = 20 МГц, U = ± 9 В |
2000 | кВ/Вт | ||
| Диапазон перестройки чувствительности (G), 100 позиций | l = 1550 нм, f = 20 МГц, U = ± 9 В | 10 | раз | ||
| Эквивалентная мощность шума (NEP) | l = 1550 нм, f = 250 МГц, G = max, U = ± 9 В | 0,2 | пВт/√Гц | ||
| Максимальная рабочая средняя падающая оптическая мощность | 1 | мкВт | |||
| Максимально допустимая средняя падающая оптическая мощность | 100 | мкВт | |||
| Максимальный уровень выходного сигнала | RL = 50 Ом, U = ± 9 В | 1,3 | В | ||
| Тип выхода | AC | ||||
| Выходное сопротивление | 50 | Ом | |||
| Напряжение питания | AC/DC Adapter 9V-0,3Ax2 | ± 9 | В | ||
| Сторонний источник питания | ± 8 | ± 9 | ± 15 | В | |
| Потребляемая мощность | U = ± 9 В | 3 | Вт | ||
| Оптический вход | Free-space | ||||
| Выходной разъем (RF OUT) | SMA | ||||
| Разъем питания | M8-pico | ||||
| Рабочая температура | 10 | 40 | °С | ||
| Температура хранения и транспортировки | -20 | 70 | °С | ||
| Допустимый уровень относительной влажности | При температуре менее 30°С | 90 | % | ||
| При температуре от 30 до 40°С | 60 | % | |||
| Габариты | Д x Ш x В | 63,0 x 64,5 x 47,5 | мм | ||
| Масса | Без блока питания | 250 | г | ||
* RL – сопротивление нагрузки, l – длина волны падающего на фотоприемник излучения, U – напряжение питания, Т – рабочая температура.
** В режиме малого сигнала, в позиции переключателя перестройки чувствительности (Gain) -10-ая позиция от максимальной.
Фотоприемник ODAv-02B реализован на основе InGaAs лавинного фотодиода с диаметром активной области 200 мкм и малошумящего усилителя. Он обеспечивает детектирование оптических сигналов в спектральном диапазоне от 900 до 1700 нм, в полосе от 1 до 250 МГц.
Фотоприемник состоит из трех основных частей - лавинного фотодиода, включенного на нагрузку R, регулируемого высоковольтного источника HV и выходного усилительного каскада.
Уровень лавинного усиления регулируется за счет изменения напряжения на высоковольтном источнике HV с помощью кнопок Gain (всего 100 позиций). Так же за счет изменения высокого напряжения осуществляется компенсация коэффициента усиления в зависимости от температуры (по заранее известному температурному коэффициенту, с помощью дополнительного терморезистора). Электрический сигнал с лавинного фотодиода через проходной конденсатор С поступает на радиочастотный малошумящий усилитель А, где дополнительно усиливается до необходимого уровня.
Питание фотоприемника осуществляется от внешнего биполярного источника питания через разъем POWER напряжением ±9 В. Для снижения влияния помех по цепям питания они развязываются с помощью синфазного EMI-фильтра и каскада линейных стабилизаторов.
Для определения парт-номера той или иной модели фотоприёмника воспользуйтесь следующей системой обозначений:
Также рекомендуем
| Спектральный диапазон | 900-1650 нм |
| Полоса пропускания | до 60 МГц |
| Время нарастания | от 5 нс |
| Диаметр активной области | 1 мм |
| Рабочая длина волны | 250...2000 нм |
| Пропускание | более 90% |
| Динамический диапазон | >10^2 |
| Порог пробоя | до 10 Дж/см^2 |
| Апертура | до 15 мм |
| Частота входного сигнала | до 2.8 ГГц |
| Полоса регулирования ПИД | до 2 МГц |
| Мощность усилителя для работы с PZT | до 50 Вт |
| Спектральный диапазон | 430-1100 нм |
| Полоса пропускания | до 12 МГц |
| Время нарастания | от 25 нс |
| Размер активной области | 2,6 х 2,9 мм (7,5 мм2) |
| Спектральный диапазон | 900-1700 нм |
| Полоса пропускания | до 2500 МГц |
| Время нарастания | от 120 пс |
| Диаметр активной области | ОВ 9/125 мкм |
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]