Фотоприёмники с фотодиодным включением
| Спектральный диапазон | Полоса пропускания по уровню -3 дБ | Время нарастания | Диаметр / размер активной области | Примечание | |
|---|---|---|---|---|---|
| OD-02А | 350-1050 нм | 0-1800 МГц | от 100 пс | 200 мкм | |
| OD-04А | 320-1000 нм | 0-1500 МГц | от 130 пс | 400 мкм | |
| OD-08А | 320-1000 нм | 0-700 МГц | от 430 пс | 800 мкм | |
| OD-3А | 430-1100 нм | 0-12 МГц | от 25 нс | 2,6 х 2,9 мм | |
| OD-10А | 400-1000 нм | 0-1.5 МГц | от 150 нс | 10 мм | |
| OD-03B | 900-1700 нм | 0-700 МГц | от 450 пс | 300 мкм | |
| OD-03B2 | 900-2600 нм | 0-70 МГц | от 6 нс | 300 мкм | |
| OD-1B | 900-1650 нм | 0-60 МГц | от 5 нс | 1 мм | |
| OD-1B2 | 900-2600 нм | 0-12 МГц | от 30 нс | 1 мм | |
| OD-007BFC | 900-1700 нм | 0-3100 МГц | от 45 пс | 75 мкм | Вход - FC розетка |
| OD-007BF | 900-1700 нм | 0-2500 МГц | от 120 пс | ОВ 9/125 мкм | Снят с производства |
| OD-007BL | 900-1700 нм | 0-2600 МГц | от 65 пс | 75 мкм |
Фотоприемники с фотодиодным включением
Фотоприемники с фотодиодным включением (серия OD) изготавливаются на основе Si или InGaAs PIN-фотодиодов и обеспечивают детектирование оптических сигналов в одном из спектральных диапазонов: A – видимый спектр и ближний ИК (400 – 1000 нм), B – стандартный ИК (900 – 1700 нм) и B2 – расширенный ИК (900 – 2600 нм).Полоса пропускания фотоприёмника зависит от конкретной модели, и весь модельный ряд перекрывает диапазон от 0 до 3 ГГц. Фотоприемник использует схему с фотодиодным режимом включения фотодиода. В этом режиме смещающее напряжение прикладывается к фотодиоду в обратном направлении, и через фотодиод течет обратный ток, пропорциональный падающему на него световому потоку. Для блокирования помех цепей питания, смещающее напряжение подается на фотодиод через фильтрующую RC-цепочку. В качестве внутренней нагрузки для фотоприемника используется встроенный резистор 100 кОм, а внешняя нагрузка (осциллограф, плата АЦП и т.п.) подключается к разъему RF OUT. При этом необходимо учитывать, что входное сопротивление нагрузки RL подключается параллельно с резистором 100 кОм и дополнительно нагружает фотоприемник.
Фотоприемники OD выпускаются в двух типах корпусов – «стандартном» (OD-10A, OD-08A, OD-03B и т.п.) и «мини» (OD-007BFC, OD-007BL, OD-02A и т.п.).«Стандартный» корпус используется для фотоприемников с небольшой полосой пропускания (до 1 ГГц) и имеет большие размеры, но благодаря наличию переходного фланца с двумя резьбами на входной апертуре, позволяет устанавливать различные аксессуары (светофильтры, коллиматоры, диафрагмы и т.п.) прямо на корпус фотоприемника. Так же, в таком корпусе имеется специальная кнопка для проверки уровня заряда батареи питания.«Мини» корпус используется для фотоприемников с большой полосой пропускания (более 1 ГГц), имеет гораздо меньшие размеры, но отсутствует переходной фланец. Фотоприемники в корпусах «мини» выпускаются с тремя типами оптических входов: FC – волоконно-оптическая FC-розетка, L – шариковая линза и <без обозначения> — со стеклянным окном.Модификации фотоприёмников в корпусе «мини» с волоконно-оптическим входом (например OD-007BFC) позволяет с помощью ВЧ-переходника SMA/BNC или SMA/N-type (RFAdapter-SMA/BNC или RFAdapter-SMA/N) подключать его непосредственно на вход измерительного устройства (осциллограф, анализатор спектра и т.п.).Питание фотоприемников осуществляется напряжением 12 В от элемента питания типа A23. Так же возможно питание фотоприемника от внешнего источника питания с использованием специализированного переходника (Adapter A23).
Все фотоприемники имеют универсальное крепление на стойку М6 (по желанию заказчика может быть заменено на M4).
Новости
Новая модель титан-сапфирового осциллятора с выходной мощностью 3 Вт
Наша команда инженеров нарастила выходную мощность лазеров серии TiF-100 до более чем 3 Ватт на 800 нм, 80 МГц при длительности импульса менее 100 фс. Диапазон перестройки такой системы был расширен до 720-950 нм, по запросу также возможен более длинноволновый диапазон 850-1040 нм. В систему интегрирован высокомощный малошумящий лазер накачки. Такая система хорошо подойдет для самых требовательных […]
Лазер TiF-100ST-F6 с блоком фазовой привязки в Институте синхротронных исследований (CANDLE, Армения)
Инженерами нашей компании и сотрудниками Института синхротронных исследований в Ереване (CANDLE) была произведена установка и наладка фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора TiF-100ST-F6 со встроенным лазером накачки и блоком фазовой привязки частоты следования импульсов лазера к опорному РЧ сигналу ALock. Установка была разработана и внедрена в производство благодаря совместному российско-армянскому проекту, поддержанному Фондом содействия развитию малых форм предприятий в […]